Представлена первая в мире оперативная память DDR5. Ёмкость модулей может достигать 256 Гбайт

Компания SK hynix сегодня, 6 октября 2020 года, представила первую в мире оперативную память следующего поколения — DDR5 DRAM, или Double-Data-Rate Five Dynamic Random Access Memory.

Представлена первая в мире оперативная память DDR5. Ёмкость модулей может достигать 256 Гбайт

Анонсированные изделия оптимизированы для приложений искусственного интеллекта, машинного обучения и больших данных. По сравнению с памятью предыдущего поколения — DDR4 — улучшены все ключевые характеристики.

Новая память SK hynix обеспечивает скорость передачи данных в 4800–5600 Мбит/с на контакт, что в 1,8 раза превышает базовые показатели памяти DDR4. При этом напряжение питания уменьшено с 1,2 до 1,1 В, что повышает энергетическую эффективность.

Реализована поддержка коррекции ошибок ECC — Error Correcting Code. Утверждается, что по сравнению с памятью предыдущего поколения надёжность работы приложений возрастёт в 20 раз.

Источник: 3dnews.ru